RLDRAM記憶體

Micron RLDRAM記憶體為具備高效能、高密度的解決方案，適用於類似SRAM高速隨機存取。此裝置可穩定維持高頻寬運作，速度超越最先進的DDR3。RLDRAM採用創新的電路設計，可將從存取週期開始到立即取得第一筆資料之間的時間縮到最短，因此RLDRAM適合用於10GbE、40GbE和100GbE的封裝緩衝與檢查。RLDRAM由多種FPGA和網路處理器解決方案提供支援。