IXTQ34N65X2M & IXTQ48N65X2M X2-Class Power MOSFETs

IXYS IXTQ34N65X2M and IXTQ48N65X2M X2-Class Power MOSFETs feature a 650V drain-source breakdown voltage and either a 34A or 48A continuous drain current. IXYS IXTQ34N65X2M and IXTQ48N65X2M MOSFETs are N-channel enhancement mode, avalanche-rated devices that operate over a -55°C to +150°C operating temperature range. Applications include switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, and more.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
IXYS MOSFET TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube