SIC10A065T-AU_T0_000A1

Name: Panjit SIC10A065T-AU_T0_000A1
Brand: Panjit
SKU: 241-SIC10A065TAUT000
Price: 166.26 TWD
Availability: Discontinued

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

241-SIC10A065TAUT000

製造商編號：

SIC10A065T-AU_T0_000A1

製造商：

Panjit

說明：

碳化矽肖特基二極管 PJ/10A065T/TP//HF/0.05K/TO-220AC/SIC/TO/SIC-100WH/SIC100W-QI01/PJ//TO220AC-AS06/TO220AC-AS01

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

SIC10A065T-AU_T0_000A1 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Panjit SIC10A065T-AU_T0_000A1的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 22 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 2000 多個： 50

單價:

NT$-.--

總價:

NT$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$166.26	NT$332,520.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Panjit
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220AC-2
配置:	Single
If - 順向電流:	10 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.5 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	400 A
Ir - 反向電流:	20 uA
最高工作溫度:	+ 175 C
資格:	AEC-Q101
封裝:	Tube
品牌:	Panjit
Pd - 功率消耗 :	115 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	50
子類別:	Diodes & Rectifiers
Vr - 反向電壓:	650 V
每件重量:	1.890 g

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIC10A065T-AU_T0_000A1 規格書

PCN

Product Change Notification (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT Silicon-Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes with low forward-voltage and zero reverse recovery current ensure cooler system temperature under harsh operating conditions of power conversion systems. These SiC diodes feature low conduction and switching loss, high surge current capability, temperature-independent switching behavior, and positive temperature co-efficient on V_F. The SiC diodes are available at a range of 2A to 20A forward current (I_F) and 650V to 1200V Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) ratings. These hard switching and highly reliable diodes operate at high-frequency and offer high system efficiency. The SiC Schottky diodes are ideal for high-temperature applications.