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FDMC8200

Name: onsemi FDMC8200
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8200
Price: 44.2 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

512-FDMC8200

製造商編號：

FDMC8200

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

規格書:

FDMC8200 規格書

ECAD模型:

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MouseReel™ (+NT$215.00)

Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$44.20	NT$44.20
	NT$27.57	NT$275.70
	NT$18.26	NT$1,826.00
	NT$14.35	NT$7,175.00
	NT$12.95	NT$12,950.00
完整捲（訂購多個3000）
	NT$11.29	NT$33,870.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	Power-33-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	18 A
Rds On - 漏-源電阻:	16 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	7.3 nC, 16 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.9 W, 2.2 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PowerTrench
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	onsemi
配置:	Dual
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	TH
下降時間:	1.3 ns, 6 ns
互導 - 最小值:	29 S, 56 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	3.1 ns, 4 ns
系列:	FDMC8200
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	35 ns, 38 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns, 13 ns
每件重量:	186 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

FDMC8200 規格書

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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