PrimePACK™3+ B-Series Modules

Infineon Technologies PrimePACK™3+ B-Series Modules are designed with Trench/Fieldstop IGBT5 and emitter-controlled 5 diodes. These modules feature extended operating temperature, high short-circuit capability, and unbeatable robustness. The PrimePACK™3+ modules offer high creepage and clearance distances, high power and thermal cycling capability, and high power density. These modules are ideal for high-power converters, motor drives, solar equipment, UPS systems, traction drives, and wind turbines.

結果: 6
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 Pd - 功率消耗 封裝/外殼 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1800 A dual IGBT module 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 1500 A dual IGBT module 8庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1500 A dual IGBT module 5庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 1500 A dual IGBT module 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 PP IHM I 前置作業時間 13 週
最少: 1
倍數: 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray