CoolMOS™ C7 Gold (G7)功率MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7)功率MOSFET採用Kelvin源概念的新 SMD TO無鉛(TOLL)封裝。G7 MOSFET融合改善的600V和650V CoolMOS™ G7技術、4引腳Kelvin源相容性及改善的TO無鉛封裝熱屬性。這可為最高3kW的功率因素校正(PFC)等高電流剛性切換拓撲提供SMD解決方案。對於600V CoolMOS™ G7,MOSFET可用於高端LLC等諧振電路。

結果: 12
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,354庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,005庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 1,783庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,483庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,682庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,804庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 2,122庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 3,979庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 21庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 無庫存前置作業時間 17 週
最少: 2,000
倍數: 2,000
: 2,000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape