DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is a 40V MOSFET with a low RDS(ON) that minimizes on-state losses. The device offers low input capacitance and fast switching speed. Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified for AEC-Q101 and is supported by a PPAP.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
封裝
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
規格書
1,670庫存量
2,000預期2026/3/20
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
規格書
84,000工廠有庫存
更多資訊可用
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 3,000
倍數： 3,000
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape