MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-基極電壓VCBO
發射機-基極電壓VEBO
集電極-發射極飽和電壓
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
資格
封裝
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
規格書
5,679庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
規格書
1,061庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
規格書
1,040庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated 雙極結晶體管 - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
規格書
2,395預期2026/4/29
最少： 1
倍數： 1
捲: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape