CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 22959.77 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-CGH09120F

製造商編號：

CGH09120F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

規格書:

CGH09120F 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$22,959.77	NT$22,959.77
	NT$20,441.67	NT$204,416.70

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	120 V
Id - C連續漏極電流:	28 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	56 W
品牌:	MACOM
配置:	Single
增益:	21 dB
最大漏柵電壓:	28 V
最大工作頻率:	2.5 GHz
最低工作頻率:	300 MHz
輸出功率:	20 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	20
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V, 2 V

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所選屬性: 0

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規格書

CGH09120F 規格書 (PDF)

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.