CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 21774.96 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-CGH09120F

製造商編號：

CGH09120F

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

規格書:

CGH09120F 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$21,774.96	NT$21,774.96
	NT$19,386.80	NT$193,868.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	120 V
Id - C連續漏極電流:	28 A
Vgs th - 門源門限電壓 :	- 3 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	56 W
品牌:	MACOM
配置:	Single
增益:	21 dB
最大漏柵電壓:	28 V
最大工作頻率:	2.5 GHz
最低工作頻率:	300 MHz
輸出功率:	20 W
封裝:	Tray
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	40
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V, 2 V

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規格書

CGH09120F 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.