NVMFD027N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD027N10MCLT1G
Price: 79.95 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-VMFD027N10MCLT1G

製造商編號：

NVMFD027N10MCLT1G

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

規格書:

NVMFD027N10MCLT1G 規格書

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DFN-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	138 A
Rds On - 漏-源電阻:	35 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	11 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	164 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	onsemi
配置:	Dual
下降時間:	3.2 ns
互導 - 最小值:	27 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	2.5 ns
系列:	NVMFD027N10MCL
原廠包裝數量:	1500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
標準斷開延遲時間:	19 ns
標準開啟延遲時間:	7 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVMFD027N10MCLT1G 規格書

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 馬來西亞
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

NVMFD027N10MCL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFD027N10MCL Dual N-Channel Power MOSFET is a 100V, 28A, 26mΩ Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs. The AEC-Q101-qualified and PPAP-capable device is housed in a 5mm x 6mm flat lead package with a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The onsemi NVMFD027N10MCL MOSFET features high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses.