5G RF JFET和LDMOS FET

MACOM 5G RF結場效應電晶體(JFET)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) FET 是用於新一代無線傳輸的熱增強型大功率電晶體。這些裝置採用GaN SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)技術、輸入匹配、高效率以及具有無耳法蘭的耐熱增強型表面貼裝封裝。MACOM 5G RF JFET和LDMOS FET非常適合多標準蜂窩功率放大器應用。