SIHP080N60E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHP080N60E-GE3
SIHP080N60E-GE3

製造商：

說明：
MOSFET TO220 600V 35A N-CH MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$181.56 NT$181.56
NT$120.70 NT$1,207.00
NT$97.92 NT$9,792.00
NT$87.04 NT$43,520.00
NT$74.12 NT$74,120.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
35 A
80 mOhms
- 30 V, 30 V
5 V
42 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
Tube
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 31 ns
互導 - 最小值: 4.6 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 96 ns
系列: SIHP E
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 37 ns
標準開啟延遲時間: 31 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

Technical Resources

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiHP080N60E E Series Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SiHP080N60E E Series Power MOSFETs offer 4th generation E series technology in a TO-220AB package. The SiHP080N60E features a low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg and a low effective capacitance (Co(er)). The Vishay / Siliconix SiHP080N60E E Series Power MOSFETs are designed for Server and telecom, SMPS, and PFC power supply applications.

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