LMG341xR150 GaN FET

Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET具有整合式驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現新的功率密度等級和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低輸入和輸出電容、零反向恢復以減少高達80%的關關損耗，以及低開關節點振鈴以減少EMI。這些特點可實現密集和高效拓撲結構，例如圖騰柱PFC。