EPC2304

EPC
65-EPC2304
EPC2304

製造商:

說明:
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN

壽命週期:
Mouser新產品
ECAD模型:
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庫存量: 11,576

庫存:
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工廠前置作業時間:
18 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$324.44 NT$324.44
NT$221.19 NT$2,211.90
NT$163.12 NT$16,312.00
NT$162.04 NT$81,020.00
NT$141.61 NT$141,610.00
完整捲(訂購多個3000)
NT$131.93 NT$395,790.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
EPC
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
FCQFN-7
N-Channel
1 Channel
200 V
133 A
5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
21 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
品牌: EPC
配置: Single
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
產品: Power Transistor
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 31.500 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
馬來西亞
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時,國家可能會有所變更。

EPC2304 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2304 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is designed to handle tasks where ultra-high switching frequency and low on-time are advantageous, as well as those where on-state losses dominate. This eGaN® FET offers exceptionally high electron mobility and low temperature coefficient, allowing low drain-source on resistance RDS(on) of 3.5mΩ typical and 5mΩ maximum. The EPC2304's lateral device structure and majority carrier diode provide exceptionally low total gate charge (QG) and zero reverse recovery (QRR) losses. This 200VDS power transistor from EPC comes in an ultra-small 3mm x 5mm QFN package for higher power density.