SIJK5100E-T1-GE3

Vishay
78-SIJK5100E-T1-GE3
SIJK5100E-T1-GE3

製造商：

說明：
MOSFET PWRPK 100V 417A

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$218.96 NT$218.96
NT$149.94 NT$1,499.40
NT$109.48 NT$10,948.00
完整捲（訂購多個1500）
NT$89.08 NT$133,620.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-16
N-Channel
1 Channel
100 V
417 A
1.4 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
536 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
品牌: Vishay
配置: Single
下降時間: 35 ns
互導 - 最小值: 245 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 18 ns
系列: SIJK5100E
原廠包裝數量: 1500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 54 ns
標準開啟延遲時間: 41 ns
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SiJK5100E N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET is a TrenchFET® Gen V power MOSFET with 100V drain-source voltage. This MOSFET features 536W maximum power dissipation at +25°C, 487A continuous source-drain diode current at +25°C, and a single configuration. The SiJK5100E is UIS tested, lead free, and halogen free. Vishay / Siliconix SiJK5100E N-Channel MOSFET operates within a -55°C to +175°C temperature range. Typical applications include synchronous rectification, automation, power supplies, motor drive control, and battery management.

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