AF54RHC132ENT-R

Name: Apogee Semiconductor AF54RHC132ENT-R
Brand: Apogee Semiconductor
SKU: 444-AF54RHC132ENT-R
Price: 3570.34 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

444-AF54RHC132ENT-R

製造商編號：

AF54RHC132ENT-R

製造商：

Apogee Semiconductor

說明：

邏輯閘 GEO Quad Schmitt 2-input NAND, Evaluation-Grade, NiPdAu TSSOP14, packed in tape and reel

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

AF54RHC132ENT-R 規格書 (PDF)

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單價:

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總價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$3,570.34	NT$3,570.34
	NT$3,232.04	NT$32,320.40
	NT$3,145.34	NT$78,633.50
	NT$3,143.30	NT$157,165.00
	NT$2,996.42	NT$299,642.00
完整捲（訂購多個250）
	NT$2,902.58	NT$725,645.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Apogee Semiconductor
產品類型:	邏輯閘
付運限制：	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS:
邏輯功能:	NAND
閘極數:	4 Gate
邏輯系列:	AF54RHC
輸入行數:	8 Input
封裝/外殼:	TSSOP-14
輸出行數:	4 Output
低電平輸出電流:	24 mA
高電平輸出電流:	- 24 mA
傳播延遲時間:	38 ns
電源電壓 - 最小值:	1.65 V
電源電壓 - 最大值:	5.5 V
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 125 C
安裝風格:	SMD/SMT
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Apogee Semiconductor
邏輯類型:	CMOS
工作溫度範圍:	- 55 C to + 125 C
輸出電流:	100 mA
輸出電壓:	5.5 V
產品:	NAND Gate
產品類型:	Logic Gates
系列:	AF54RHC132
原廠包裝數量:	250
子類別:	Logic ICs
公司名稱:	LEO

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

AF54RHC132ENT-R 規格書 (PDF)

PCN

USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542319000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: 9A515.e.1

AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate

Apogee Semiconductor AF54RHC132 Rad-Hard Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt trigger inputs is a member of the AF54RHC logic family. The Schmitt triggers on each input provide hysteresis and allow slow-rising or noisy input signals without any fall time or input rise requirements. This NAND gate is fabricated in a 180nm CMOS process using proprietary radiation-hardening techniques. The AF54RHC132 NAND gate delivers high resiliency to Single-Event Effects (SEE) and 300krad (Si) Total Ionizing Dose (TID). This NAND gate supports class 2 ESD protection (4000V HBM and 500V CDM).