STD80N450K6

Name: STMicroelectronics STD80N450K6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N450K6
Price: 142.12 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STD80N450K6

製造商編號：

STD80N450K6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package

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規格書:

STD80N450K6 規格書 (PDF)

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	NT$142.12	NT$142.12
	NT$93.16	NT$931.60
	NT$69.70	NT$6,970.00
	NT$61.88	NT$30,940.00
	NT$53.04	NT$53,040.00
完整捲（訂購多個2500）
	NT$49.98	NT$124,950.00

† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	800 V
Id - C連續漏極電流:	10 A
Rds On - 漏-源電阻:	450 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	17.3 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	83 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	12.7 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	28.8 ns
標準開啟延遲時間:	10.6 ns
每件重量:	330 mg

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規格書

STD80N450K6 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6 Power MOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6 Power MOSFET is a high voltage N-channel Power MOSFET featuring Zener protection and 100% avalanche. This MOSFET also features ultra-low gate charge, ±30V gate-source voltage, 83W total power dissipation, worldwide R_DS(ON) x area, and worldwide Figure Of Merit (FOM). The MOSFET operates from -55°C to 150°C junction temperature range and is available in DPAK (TO-252) type A2 package. Typical applications include flyback converters, LED lighting, and adapters for tablets, and notebooks.