RF4G100BGTCR

ROHM Semiconductor
755-RF4G100BGTCR
RF4G100BGTCR

製造商：

說明：
MOSFET DFN2020 N-CH 40V 10A

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$46.58 NT$46.58
NT$29.38 NT$293.80
NT$19.45 NT$1,945.00
NT$15.20 NT$7,600.00
NT$13.80 NT$13,800.00
完整捲（訂購多個3000）
NT$12.07 NT$36,210.00
NT$11.19 NT$67,140.00
NT$10.57 NT$95,130.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8
N-Channel
1 Channel
40 V
10 A
14.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
10.6 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 4.5 ns
互導 - 最小值: 5.2 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6.5 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 21 ns
標準開啟延遲時間: 8.5 ns
零件號別名: RF4G100BG
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所選屬性: 0

規格書

Specification Sheets

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RF4G100BG N-Channel Power MOSFET

ROHM Semiconductor RF4G100BG N-Channel Power MOSFET is a 40V, 10A MOSFET featuring a low 14.2mΩ on-resistance, making it ideal for switching applications. The RF4G100BG has a 27ns (typical) reverse recovery time and an 18nC (typical) reverse recovery charge. Power dissipation for the device is 2.0W, and it features a wide -55℃ to +150℃ operating junction and storage temperature range.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.

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