結果: 577
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
規格書
無庫存前置作業時間 80 週
最少： 300
倍數： 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 2.5 kV 3 V - 25 V, 25 V 156 A 753 W - 55 C + 150 C Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 65Amps 1700V
規格書
暫無庫存
最少： 10
倍數： 10

Si TO-264-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBK75N170
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
規格書
暫無庫存
最少： 25
倍數： 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Tube
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 25

Si ISOPLUS i5-PAC-3 Through Hole Very High Voltage Tube
IXYS IGBT 42 Amps 1700V 6.0 V Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 10

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 38 A 313 W - 55 C + 150 C IXBN42N170 Tube
IXYS IGBT 57Amps 1700V
規格書
暫無庫存
最少： 30
倍數： 30

Si ISOPLUS247-3 Through Hole IXBR42N170 Tube
IXYS IGBT 10 Amps 1700V 2.3 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 70 週
最少： 300
倍數： 30
Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 20 A 140 W - 55 C + 150 C IXBT10N170 Tube
IXYS IGBT TO268 1700V 16A IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 16 A 150 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 70 週
最少： 300
倍數： 30

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT IXBT24N170 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 3 kV 3.2 V - 25 V, 25 V 130 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT 65Amps 1700V
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 300
倍數： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole - 20 V, 20 V IXBX75N170 Tube
IXYS IGBT 20 Amps 1200V
規格書
暫無庫存
最少： 800
倍數： 800
捲: 800
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.8 V - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C IXDA20N120AS Reel
IXYS IGBT TO247 1200V 100A GENX4 無庫存前置作業時間 47 週
最少： 300
倍數： 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole 1.2 kV 2.2 V 140 A Tube
IXYS IGBT IXGA12N120A3 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 1
倍數： 1
捲: 25

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 22 A 100 W - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
IXYS IGBT IXGA20N120A3 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 800
倍數： 800
捲: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 180 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 300
倍數： 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.7 V 20 V 36 A - 55 C + 150 C IXGA20N120 Tube
IXYS IGBT IXGA20N120B3 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 800
倍數： 800
捲: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 36 A 180 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA30N120B3 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 800
倍數： 800
捲: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.96 V - 20 V, 20 V 60 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA48N60B3 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 800
倍數： 800
捲: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 48 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT IXGA48N60C3 TRL
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 800
倍數： 800
捲: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C Reel
IXYS IGBT
規格書
暫無庫存
最少： 25
倍數： 25

Si Tube

IXYS IGBT 120 Amps 300V
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 300 V 1.75 V - 20 V, 20 V 75 A 540 W - 55 C + 150 C IXGH120N30 Tube

IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 32 週
最少： 300
倍數： 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V 20 V 22 A - 55 C + 150 C IXGH12N120 Tube

IXYS IGBT High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
規格書
無庫存前置作業時間 65 週
最少： 300
倍數： 30

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH24N120 Tube

IXYS IGBT 24 Amps 1200V 暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247AD-3 - 20 V, 20 V IXGH24N120 Tube