結果: 577
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝

IXYS IGBT 650V/290A TRENCH IGBT GENX4 XPT 無庫存前置作業時間 48 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 290 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT PLUS247 600V 200A IGBT 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 1.4 V - 20 V, 20 V 380 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO264 600V 200A XPT 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 600 V 2.1 V - 20 V, 20 V 340 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 600V IGBT 300A 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30
Si - 20 V, 20 V IXXX300N60 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.96 V - 20 V, 20 V 38 A 200 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 50

Si TO-263HV-2 SMD/SMT Single 1.2 kV 3.4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO263 650V 20A XPT 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 1
倍數: 1
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT IXYA20N65C3 TRL 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

Si TO-263AA-3 SMD/SMT Single 650 V 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C Reel
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-263D2 暫無庫存
最少: 300
倍數: 50
Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 50 A 200 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-263 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 50
Si D2PAK-2 (TO-263-2) SMD/SMT Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 130 A 600 W - 55 C + 175 C IXYA50N65 Tube
IXYS IGBT TO263 650V 50A XPT 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 800
倍數: 800
: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 600 W - 55 C + 175 C Reel
IXYS IGBT 900V 8A 2.5V XPT IGBT GenX3 w/ Diode 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 300
倍數: 50

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 20 A - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT I4PAK 4500V 23A IGBT 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 25

Si Through Hole Single 4.5 kV 3.9 V - 20 V, 20 V 23 A 230 W - 55 C + 150 C High Voltage Tube
IXYS IGBT TO247 650V 100A GENX3 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 240 A 470 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/200A XPT C3-Class TO-247 前置作業時間 27 週
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 200 A 830 W - 55 C + 175 C IXYH100N65 Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247 無庫存前置作業時間 28 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 650V 120A GENX3 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 340 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 650V 120A GENX3 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 2.3 V - 20 V, 20 V 260 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 2500V 12A IGBT 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247HV-3 Through Hole Single 310 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V XPT IGBT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 4 V - 20 V, 20 V 40 A 278 W - 55 C + 175 C IXYH20N120 Tube
IXYS IGBT TO263 650V 20A XPT 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT TO263 650V 20A XPT 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 1
倍數: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.27 V - 20 V, 20 V 50 A 230 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT GenX3 900V XPT IGBT 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.3 V - 20 V, 20 V 46 A 240 W - 55 C + 175 C IXYH24N90 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 30A XPT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX43 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 30A XPT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 94 A 500 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX44 Tube