結果: 577
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 封裝/外殼 安裝風格 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 柵極發射機最大電壓 連續集電極電流在25 C Pd - 功率消耗 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
IXYS IGBT TO247 650V 30A GENX3 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 270 W - 55 C + 175 C IXYH30N65C Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A IGBT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 140 A 600 W - 55 C + 175 C Trench - 650V - 1200V GenX45 Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A GENX3 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 112A IGBT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 136 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 1200V 40A IGBT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 120 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/80A XPT C3-Class TO-247 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 300 W - 55 C + 175 C IXYH40N65 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD 暫無庫存
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V Tube
IXYS IGBT GenX3 900V XPT IGBT 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 900 V 2.2 V - 20 V, 20 V 105 A 600 W - 55 C + 175 C IXYH40N90 Tube
IXYS IGBT 1700V/178A High Volt 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

- 20 V, 20 V
IXYS IGBT 650V/130A XPT C3-Class TO-247 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.74 V - 20 V, 20 V 130 A 600 W - 55 C + 175 C IXYH50N65 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD 暫無庫存
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.73 V - 20 V, 20 V 132 A 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT 650V/170A XPT C3-Class TO-247 無庫存前置作業時間 27 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 170 A 750 W - 55 C + 175 C IXYH75N65 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-247AD 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 1.8 V - 20 V, 20 V 175 A 750 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO247 2500V 8A XPT 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 30

TO-247HV-3 Through Hole Single - 20 V, 20 V 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT 1200V IGBT GenX7 XPT IGBT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 30

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 4 V - 20 V, 20 V 21 A 105 W - 55 C + 150 C IXYJ20N120 Tube
IXYS IGBT 1200V 188A XPT IGBT 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 195 A 1.15 kW - 55 C + 175 C IXYK100N120 Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 TO-264(3) 暫無庫存
最少: 300
倍數: 25
Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.85 V - 20 V, 20 V 225 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO264 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 25

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.4 V - 20 V, 20 V 310 A 1.36 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 8 Tube
IXYS IGBT TO264 1200V 120A GENX3 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 25
Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 320 A 1.5 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT TO264 900V 140A GENX3 前置作業時間 30 週
最少: 1
倍數: 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.7 V - 20 V, 20 V 310 A 1.63 kW - 55 C + 175 C Planar Tube
IXYS IGBT TO264 1700V 30A DIODE 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 25

TO-264-3 Through Hole Single 937 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT ISOPLUS 2500V 40A DIODE 無庫存前置作業時間 57 週
最少: 300
倍數: 25

ISOPLUS i5-PAC Through Hole Single 577 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT SOT227 1200V 76A DIODE 無庫存前置作業時間 32 週
最少: 300
倍數: 10

Si - 20 V, 20 V Planar Tube
IXYS IGBT Disc IGBT XPT-GenX3 SOT-227UI(mini 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 250 A 830 W - 55 C + 175 C Tube