Mobile LPDDR2 SDRAM

ISSI Mobile LPDDR2 SDRAMs achieve high-speed operation using a double data rate architecture. The Mobile LPDDR2 SDRAM double data rate architecture is a pre-fetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. The ISSI Mobile LPDDR2 data paths are internally pipelined and 4n bits pre-fetched to achieve very high bandwidth.

結果: 16
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
規格書
2庫存量
171預期2026/4/17
最少： 1
倍數： 1
最大： 32

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32320C Reel
ISSI DRAM 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
規格書
131庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI DRAM LPDDR2,512M,RoHs 400MHz,16Mx32,IT
規格書
186庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI IS43LD32320C-18BLI
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
156庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C
ISSI IS43LD16640C-25BLI
ISSI DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
規格書
342在途量
最少： 1
倍數： 1
最大： 83

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz 64 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16640C
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B Reel
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 171
倍數： 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 171
倍數： 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 256 Mbit 32 bit 400 MHz FBGA-134 8 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD16160B
ISSI IS43LD32160A-25BLI-TR
ISSI DRAM 512M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 16 M x 32 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A Reel
ISSI IS43LD16640C-18BLI
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 171
倍數： 171

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C
ISSI IS43LD16640C-18BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C Reel
ISSI IS43LD16640C-25BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 64Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD16640C Reel
ISSI IS43LD32320C-18BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C Reel
ISSI IS43LD32320C-25BLI-TR
ISSI DRAM 1G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 32Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 BGA-134 IS43LD32320C Reel