OptiMOS™ 3 N通道MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 3 N通道MOSFET具有低導通狀態電阻,且採用SuperSO8無鉛封裝。OptiMOS 3 MOSFET將工業、消費電子和電訊應用中的功率密度提高達百分之50。OptiMOS™ 3具有40V、60V和80V N通道MOSFET,及SuperSO8和Shrink SuperSO8 (S3O8)封裝型號。相較於標準電晶體輪廓(TO)封裝,SuperSO8將功率密度提高達百分之50。

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 4,584庫存量
4,800預期2026/3/6
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 11,872庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5,863庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 90 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel


Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3,562庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 22 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 2,034庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 120 V 237 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 3,987庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 30 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 7 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >150 - 400V
9,395預期2026/11/12
最少: 1
倍數: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel