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SIHR080N60E-T1-GE3

Name: Vishay SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHR080N60ET1GE3
Price: 243.44 TWD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

78-SIHR080N60ET1GE3

製造商編號：

SIHR080N60E-T1-GE3

製造商：

Vishay / Siliconix

說明：

MOSFET N-CHANNEL 600V

規格書:

SIHR080N60E-T1-GE3 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

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NT$-.--

總價:

NT$-.--

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$243.44	NT$243.44
	NT$174.76	NT$1,747.60
	NT$132.94	NT$13,294.00
	NT$124.78	NT$124,780.00
完整捲（訂購多個2000）
	NT$118.32	NT$236,640.00
4,000	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Vishay
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerPAK-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	51 A
Rds On - 漏-源電阻:	74 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5 V
Qg - 閘極充電:	42 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	500 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	PowerPAK
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
品牌:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降時間:	31 ns
互導 - 最小值:	4.6 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	96 ns
系列:	SIHR E
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	37 ns
標準開啟延遲時間:	31 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SIHR080N60E-T1-GE3 規格書

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiHR080N60E N通道功率MOSFET

Vishay/Siliconix SiHR080N60E N通道功率MOSFET是一款第四代600V E系列功率MOSFET，採用PowerPAK® 8 x 8LR封裝。MOSFET為電訊、工業和運算應用提供更高的效率和功率密度。SiHR080N60E在10V時具有0.074Ω 的低典型導通電阻，以及低至42nC的超低閘極電荷，從而減少傳導和開關損耗，在功率系統 >2kW節省能源並提高電源系統的效率。該封裝還提供開爾文連接以提高開關效率。Vishay/Siliconix SiHR080N60E 旨在承受雪崩模式下的過壓瞬變，並透過100% UIS測試保證極限。