WBSC可引線結合的垂直式矽電容器

Murata WBSC可引線結合的垂直式矽電容器理想適用於DC解耦,專用於高達150℃的可靠性作為主要參數的應用。這些矽電容器已採用可整合1.55nF/mm²至250nF/mm²高電容密度的半導體工藝開發而成(斷路電壓分別為450V至11V)。在生產過程中,高度可靠的電容器採用會生成高純度氧氣的高溫製成(高於900℃)。該技術相對於最高150℃的電容器穩定性,提供行業領先的性能,溫度係數等於+60ppm/K。此外,矽的固有屬性表現出低介電吸收性,以及低至零的壓電效應,導致沒有記憶效果。Murata WBSC可引線結合的垂直式矽電容器還符合RoHS規定。

結果: 8
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 電容 額定電壓 封裝/外殼 耐受性 系列 溫度系數 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 Low profile, High temperature, Wirebonding 422庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

4700 pF 33 V 0208 (0520 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 Low profile, High temperature, Wirebonding 245庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

0.022 uF 33 V 0402 (1005 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

WBSC Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 Low profile, High temperature, Wirebonding 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

2700 pF 33 V 0205 (0512 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 Low profile, High temperature, Wirebonding 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

3700 pF 33 V 02065 (0516 metric) 15 % WBSC 70 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

100 pF 0202 (0606 metric) 15 % WBSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

1000 pF 0202 (0606 metric) 15 % WBSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel
Murata Electronics 矽RF電容器 / 薄膜 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000
: 1,000

0.01 uF 0202 (0606 metric) 15 % WBSC 60 PPM / C - 55 C + 150 C Reel