SIHS90N65E-GE3

Vishay / Siliconix
78-SIHS90N65E-GE3
SIHS90N65E-GE3

製造商：

說明：
MOSFET SPR247 650V 87A N-CH MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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NT$494.36 NT$4,943.60

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
Super-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
87 A
29 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
394 nC
- 55 C
+ 150 C
625 W
Enhancement
Tube
品牌: Vishay / Siliconix
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
下降時間: 267 ns
互導 - 最小值: 32 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 152 ns
系列: SIHS E
原廠包裝數量: 480
子類別: Transistors
晶體管類型: E Series Power MOSFET
標準斷開延遲時間: 323 ns
標準開啟延遲時間: 85 ns
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所選屬性: 0

規格書

Models

Technical Resources

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SiHS90N65E Power MOSFET

Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET offers a low figure-of-merit, low input capacitance, and ultra-low gate charge. The SiHS90N65E Power MOSFET has a 700V drain-source voltage and is optimized to reduce switching and conduction losses. The Vishay / Siliconix SiHS90N65E Power MOSFET is suitable for server and telecom power supplies, lighting, and industrial applications.

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