LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級具有整合式驅動和保護,較矽MOSFETs具有更大優勢。其中包括超低輸入和輸出電容。特點包括零反轉恢復,降低開關損失多達80%,及低開關節點響鈴以降低EMI。
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Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率級具有整合式驅動和保護,較矽MOSFETs具有更大優勢。其中包括超低輸入和輸出電容。特點包括零反轉恢復,降低開關損失多達80%,及低開關節點響鈴以降低EMI。