Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

結果: 9
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
配置
If - 順向電流
Vrrm - 重複反向電壓
Vf - 順向電壓
Ifsm - 順向浪湧電流
Ir - 反向電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
2,334庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C XDH16G65 Tube
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
2,552庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C XDH06G65 Tube
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
2,693庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C XDH04G65 Tube

Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
540庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube

Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
750庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C XDW20G65 Tube

Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
187庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C XDW40G65 Tube
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
325庫存量
500預期2026/4/6
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C XDH10G65 Tube

Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
242庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C XDW12G65 Tube
Infineon Technologies 碳化矽肖特基二極管 SIC DIODES
規格書
540庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C XDH08G65 Tube