RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
封裝
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT
規格書
431庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
規格書
產品評論
450庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
規格書
438庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
規格書
產品評論
400庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube