1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs). These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 1200V SiC MOSFETs include 100%-tested avalanche capability, 30% longer short-circuit withstand time, and tight threshold voltage distributions for easy paralleling. These MOSFETs offer a low RDS(ON), superior power density, and cool-running performance. The 1200V SiC MOSFETs achieve up to 95.5% peak efficiency in EV charging and power conversion systems. These MOSFETs are ideal for applications, including EVs and DC-DC converters.

結果: 15
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
通道模式
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 753庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,546庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,495庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
規格書
428庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 536庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 390庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 761庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,416庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
規格書
1,560庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572庫存量
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,685庫存量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor 碳化矽MOSFET 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 40庫存量
800預期2026/8/31
最少： 1
倍數： 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement