NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 549.22 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NTBL023N065M3S

製造商編號：

NTBL023N065M3S

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

NTBL023N065M3S 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	H-PSOF-8
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	77 A
Rds On - 漏-源電阻:	32.6 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	69 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	312 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	9.6 ns
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品:	SiC MOSFETS
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	15 ns
系列:	NTBL023N065M3S
原廠包裝數量:	2000
子類別:	Transistors
晶體管極性:	N-Channel
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	35 ns
標準開啟延遲時間:	11 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NTBL023N065M3S 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

合規守則

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 菲律賓
封裝原產國:: 菲律賓
擴散國:: 大韓民國

出貨時，國家可能會有所變更。

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.