High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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結果: 19
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說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
IXYS IGBT 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
規格書
448庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBT TO268 3KV 42A IGBT
規格書
2,787庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
規格書
281庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBT PLUS247 2500V 25A IGBT
規格書
224庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
規格書
307庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 2500V 42A HI GAIN
規格書
334庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT TO268 3KV 12A BIMOSFET
規格書
277庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
規格書
127庫存量
最少： 1
倍數： 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT
規格書
8庫存量
720預期2026/3/11
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBT TO264 3KV 55A BIMOSFET
規格書
1,275預期2026/7/22
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBT TO247 3KV 12A IGBT
規格書
300預期2026/4/1
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
規格書
無庫存前置作業時間 27 週
最少： 300
倍數： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBT ISOPLUS 3KV 22A IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 34 週
最少： 300
倍數： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFET ISOPLUS 3KV 24A DIODE
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBT High Voltage High Gain BIMOSFET
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBT TO247 3KV 10A IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT BIMOSFET 2500V 75A
規格書
無庫存前置作業時間 80 週
最少： 300
倍數： 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBT 3600V/92A Rev Conducting IGBT
規格書
無庫存前置作業時間 39 週
最少： 25
倍數： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBT MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
規格書
無庫存前置作業時間 57 週
最少： 300
倍數： 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3