DDR SDRAM

ISSI 512-Mbit DDR SDRAM achieves high-speed data transfer using pipeline architecture and two data word accesses per clock cycle. The 536,870,912-bit memory array is internally organized as four banks of 128Mb to allow concurrent operations. The pipeline allows Read and Write burst accesses to be virtually continuous, with the option to concatenate or truncate the bursts. The programmable features of burst length, burst sequence, and CAS latency enable further advantages. The device is available in 8-bit, 16-bit, and 32-bit data word sizes. Input data is registered on the I/O pins on both edges of Data Strobe signal(s), while output data is referenced to both edges of Data Strobe and both edges of CLK. ISSI 512-Mbit DDR SDRAM commands are registered on the positive edges of CLK.

結果: 38
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
240庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 89

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
354庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 37

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
190庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
規格書
58庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS46R16160D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
96庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
39庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 10

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 64 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
61庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
20庫存量
最少： 1
倍數： 1
最大： 200

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
5庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 200 MHz LFBGA-144 8 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32800D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 256M (16Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1
最大： 5

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-60 16 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16160D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz BGA-60 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 108
倍數： 108

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 5 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R16320D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 200MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 256M, 2.5V, DDR, 32Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 8 bit 166 MHz TSOP-II-66 32 M x 8 6 ns 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R83200D Tray
ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
規格書
無庫存前置作業時間 8 週
最少： 190
倍數： 190

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-60 64 M x 8 5 ns 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C IS43R86400D Tray