GAN039 CCPAK1212封裝功率GaN FET

Nexperia GAN039 CCPAK1212封裝功率GaN FET採用銅夾封裝技術,具有低電感、低開關損耗和高可靠性的特點。這些元件無需引線鍵合,可最佳化熱效能和電氣效能,提供共源共柵配置,無需複雜的驅動器和控制。表面黏著GAN039 FET具有頂部 (CCPAK1212i) 或傳統底部(CCPAK1212) 冷卻功能,可提高散熱效能,增加設計靈活性。CCPAK1212和CCPAK1212i封裝類型具有小尺寸。靈活的鷗翼型引線可為極端溫度環境提供強大的板級可靠性。典型應用包括伺服馬達驅動器、PV和UPS變頻器、無橋接圖騰極PFC以及軟開關轉換器。

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 599庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 956庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement