AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

製造商：

說明：
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

規格書:
ECAD模型:
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單價:
NT$-.--
總價:
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Pricing (TWD)

數量 單價
總價
NT$387.26 NT$387.26
NT$228.82 NT$2,288.20
NT$198.56 NT$19,856.00
NT$191.08 NT$85,986.00
2,700 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
品牌: onsemi
集電極最大連續電流Ic : 100 A
柵射極漏電電流: 400 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 450
子類別: IGBTs
公司名稱: EliteSiC
每件重量: 7.326 g
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT

onsemi AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT offers optimum performance with both low conduction and switching losses. The AFGHL50T65SQDC features 50A current and 650V collector to emitter voltage. The device is ideal for high-efficiency operations in various applications, specifically totem pole bridgeless PFC and inverters. The AFGHL50T65SQDC Hybrid IGBT is AEC-Q100 qualified for automotive applications.

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