1200V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.

分離式半導體的類型
變更類別視圖
結果: 6
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
規格書
167庫存量
168預期2026/2/25
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Si Through Hole EasyPack1B


Infineon Technologies IGBT 模組 650 V, 400 A 3-level IGBT module
規格書
4庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A 3-level IGBT module
規格書
6庫存量
24預期2026/2/13
最少： 1
倍數： 1

IGBT Transistors Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 400 A 3-level IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 6
倍數： 6

IGBT Transistors
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 25 A 3-level IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 10 週
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 200 A 3-level IGBT module
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 15
倍數： 15

IGBT Modules Si