Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are designed for hard switching and resonant mode applications. They offer low gate charge, excellent ruggedness, and a fast intrinsic diode. The IXYS Q-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are available in many standard industrial packages, including isolated types.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 300V 52A
規格書
91庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 52 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
規格書
無庫存前置作業時間 37 週
最少： 300
倍數： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube