Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.

結果: 107
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 存儲容量
組織
存取時間
接口類型
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
電源電流 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
安裝風格
封裝/外殼
封裝

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 5V SOJ 12NS -40TO85C
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 5.5 V 4.5 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X8 3V SOJ 12NS 0TO70C
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 512 k x 8 12 ns 3.6 V 3 V 100 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-36 Tray

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS -40TO85C
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-44 Tray

Renesas Electronics SRAM SRAM 4MB FAST X16 3V SOJ 12NS 0TO70C
規格書
無庫存前置作業時間 12 週
最少： 1
倍數： 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns 3.6 V 3 V 130 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 16 SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
捲: 2,000
否
1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1
否
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray