NXV08H300DT1

Name: onsemi NXV08H300DT1
Brand: onsemi
SKU: 863-NXV08H300DT1
Price: 2695.86 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NXV08H300DT1

製造商編號：

NXV08H300DT1

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 APM17-MDC MV7 80V AL2O3 2 PHASE

規格書:

NXV08H300DT1 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$2,695.86	NT$2,695.86
	NT$2,157.30	NT$21,573.00
	NT$2,042.38	NT$204,238.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	APM-17
Vds - 漏-源擊穿電壓:	80 V
Rds On - 漏-源電阻:	650 uOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 125 C
系列:	NXV08H300DT1
封裝:	Tube
品牌:	onsemi
配置:	Half-Bridge
下降時間:	290 ns
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	475 ns
原廠包裝數量:	10
子類別:	Discrete and Power Modules
類型:	Automotive Power MOSFET Module
標準斷開延遲時間:	608 ns
標準開啟延遲時間:	235 ns

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所選屬性: 0

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規格書

NXV08H300DT1 規格書

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NXV08H300DT1 MOSFET Module

onsemi NXV08H300DT1 MOSFET Module is a dual half bridge 80V automotive power MOSFET module with temperature sensing for 48V mild hybrid automotive applications. This 2-phase power MOSFET module is electrically isolated with Direct Bond Copper (DBC) substrate for low Rthjc. The NXV08H300DT1 module is compactly designed for low total module resistance, and the small, efficient, and reliable system design reduces vehicle fuel consumption and CO₂ emissions. The components inside the module are AEC-Q101 (MOSFET) and AEC-Q200 (passives) qualified. The NXV08H300DT1 power MOSFET module is ideally used in 48V inverter and 48V traction applications.