IRF100B201

Name: Infineon IRF100B201
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF100B201
Price: 148.06 TWD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

942-IRF100B201

製造商編號：

IRF100B201

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

規格書:

IRF100B201 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	192 A
Rds On - 漏-源電阻:	4.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2 V
Qg - 閘極充電:	170 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	441 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	StrongIRFET
封裝:	Tube
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降時間:	100 ns
互導 - 最小值:	278 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	97 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
標準斷開延遲時間:	110 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns
每件重量:	2 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

IRF100B201 規格書 (PDF)

Models

Saber Model - IRF100B201 (CAD)

Product Catalogs

SPICE Models

Spice Model - IRF100B201

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合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 馬來西亞
封裝原產國:: 中國
擴散國:: 馬來西亞

出貨時，國家可能會有所變更。

IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs

Infineon IRF100x201 HEXFET™ Power MOSFETs are 100V, single N-channel MOSFETs with enhanced body diode dV/dt and dl/dt capability. These MOSFETs provide improved gate, avalanche, and dynamic dV/dt ruggedness, fully characterized capacitance, and avalanche Safe Operating Area (SOA). The IRF100x201 MOSFETs come in TO-220 and D²-Pak packages and are RoHS compliant, lead-free, and halogen-free. Applications include brushed and BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, power supplies, and power switches.