LLC152D LW反向低ESL汽車晶片MLCC
Murata LLC152D LW反向低ESL汽車晶片MLCC超薄,電容值為1µF ±20%,適用於額定4VDC的汽車應用。該去耦電容器可以在處理器封裝的背面實現,有助於降低電源線的阻抗。它還可由於其微型尺寸而靠近母板上的主要處理器。LW反向結構翻轉電極90°,使它們位於矩形晶片的長邊上。這種結構變化顛倒了長寬比,有效抑制高頻應用中的雜訊。Murata LLC152D多層陶瓷電容器的操作溫度範圍為-55 °C至+125 °C。
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Murata LLC152D LW反向低ESL汽車晶片MLCC超薄,電容值為1µF ±20%,適用於額定4VDC的汽車應用。該去耦電容器可以在處理器封裝的背面實現,有助於降低電源線的阻抗。它還可由於其微型尺寸而靠近母板上的主要處理器。LW反向結構翻轉電極90°,使它們位於矩形晶片的長邊上。這種結構變化顛倒了長寬比,有效抑制高頻應用中的雜訊。Murata LLC152D多層陶瓷電容器的操作溫度範圍為-55 °C至+125 °C。