NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors

Nexperia NHUMB1 PNP/PNP Double Transistors are designed to simplify circuit design and feature high breakdown voltage, built-in resistors, reduced component count, and reduced pick/place costs. These transistors operate at -80V collector-emitter voltage (VCEO), -100mA output current (IO), and -55°C to 150°C ambient temperature range (Tamb). Typical applications include digital applications, cost-saving alternatives for the BC856 series, controlling IC inputs, and switching loads.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-基極電壓VCBO 發射機-基極電壓VEBO 集電極-發射極飽和電壓 Pd - 功率消耗 增益帶寬積 fT 最低工作溫度 最高工作溫度 封裝
Nexperia 雙極結晶體管 - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT 無庫存前置作業時間 22 週
最少: 1
倍數: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia 雙極結晶體管 - BJT SOT363 80V PNP/PNP RET BJT 無庫存前置作業時間 22 週
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-8009-3 PNP Dual 80 V 80 V 10 V 100 mV 235 mW 150 MHz - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel