STH4N150-2AG

STMicroelectronics
511-STH4N150-2AG
STH4N150-2AG

製造商：

說明：
MOSFET Automotive-grade N-channel 1500 V, 6 Ohm typ., 2.6 A PowerMESH Power MOSFET in an H2PAK-2 package
完成您的設計

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於STMicroelectronics STH4N150-2AG的資訊

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
H2PAK-2
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
2.6 A
10 Ohms
30 V
5 V
35.1 nC
- 55 C
+ 150 C
208 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 72 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 38 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
每件重量: 1.471 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

合規守則
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
無資料
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
出貨時，國家可能會有所變更。

STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET is designed to deliver high voltage and robustness for the automotive market. This MOSFET is built using PowerMESH™ technology; the device combines a very high 1500V drain-source voltage rating with low gate charge and robust avalanche capability. The STH4N150-2AG MOSFET is automotive-grade, AEC-Q101-qualified, and available in an H2PAK-2 package. This device is suitable for high voltage, automotive, auxiliary, and switching applications.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


供貨情況

庫存：
0

您仍可購買此商品作為延期交貨訂單。

在途量:
500
預期2026/8/24
工廠前置作業時間：
26
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
此產品已報告長備貨期。
最少： 1   多個： 1
單價:
NT$-.--
總價:
NT$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個1000）

Pricing (TWD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
NT$203.63 NT$203.63
NT$133.36 NT$1,333.60
NT$98.23 NT$9,823.00
NT$87.12 NT$43,560.00
完整捲（訂購多個1000）
NT$72.06 NT$72,060.00
† NT$215.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。