DDR3 SDRAM

Zentel DDR 3 SDRAM具有高速資料傳輸的特點，由8位預取管道架構實現。SDRAM擁有雙倍資料傳輸率架構（每個時鐘週期兩次資料傳輸）。它們擁有雙向差分資料選通(DQS和/DQS)，並傳輸/接收資料以擷取接收器資料。DQS與讀取資料邊緣對齊；與寫入資料中心對齊。差分時鐘輸入(CK和/CK)DLL將DQ和DQS轉換與CK轉換對齊。

結果: 32
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 512Mx8, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-78
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,420
倍數： 2,420

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 1.066 GHz FPGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 16 週
最少： 2,090
倍數： 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 20 週
最少： 2,090
倍數： 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,090
倍數： 2,090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 2,090
倍數： 2,090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 2,090
倍數： 2,090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
規格書
無庫存前置作業時間 24 週
最少： 1,900
倍數： 1,900

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray