QPD0011 30W/60W 48V GaN on SiC HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron-Mobility Transistor) is an asymmetric dual-path power amplifier transistor for Doherty applications. The QPD0011 features a 3.3GHz to 3.6GHz frequency range and a maximum Doherty gain of 13.3dB. In each path is a single-stage amplifier transistor. QPD0011 can deliver an average power of 15W in a Doherty configuration.

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 操作頻率
工作電源電壓
運作供電電流
增益
類型
安裝風格
技術
系列
封裝
Qorvo RF放大器 3.4-3.6GHz 40Wx80W GaN Transistor Pair 暫無庫存
最少： 100
倍數： 100
捲: 100

3.3 GHz to 3.6 GHz 48 V 65 mA 13.3 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel
Qorvo QPD0011JTR13
Qorvo RF放大器 3.4-3.6GHz 40Wx80W 48V GaN Transistor Pa 暫無庫存
最少： 2,500
倍數： 2,500
捲: 2,500

3.4 GHz to 3.6 GHz 12.6 dB SMD/SMT GaN SiC QPD0011 Reel