IFN160 N溝道50V低Ciss JFET

InterFET  IFN160 N溝道50V低Ciss JFET具有低閘極洩漏、低截止電壓和低輸入電容(Ciss)的特性。這些JFET具有高輻射耐受性、自訂測試和分級功能。IFN160 JFET採用SMT和裸晶片封裝。這些JFET包含邊緣情況SPICE建模（SPICE是模擬電路性能的事實標準）。IFN160 JFET適用於成本敏感型的低雜訊設計，是音頻麥克風和前置放大器設計的理想選擇。這些JFET符合RoHS、REACH和CMR標準。典型應用包括訊號混合器、高阻抗開關、耳機放大器、音訊濾波器、前置放大器揚聲器驅動器、超音波設備、雷達和通訊系統以及輻射偵測。