LMG5200 80V GaN半橋功率級

Texas Instruments LMG5200 80V GaN半橋功率級採用增強模式氮化鎵(GaN) FET提供整合式功率級解決方案。該裝置包含兩個80V GaN FET，由半橋組態中的一個高頻率GaN FET驅動器驅動。憑藉接近於零的反向恢復和極小的輸入電容C_ISS，GaN FET為功率轉換提供顯著優勢。所有裝置均安裝於完全無焊線的封裝平台上，具有最少的封裝寄生元件。無論V_CC電壓數值如何，TTL邏輯相容輸入可承受高達12V的電壓。專有自舉電壓箝位技術確保增強模式GaN FET的閘極電壓處於安全運作範圍內。