600V和1200V TRENCHSTOP IGBTs

Infineon 600V和1200V TRENCHSTOP™ IGBTs組合深溝頂層與場中止理念，充分改善靜態和動態性能。 組合IGBTs與軟恢復發射器受控二極管，進一步將開機損失降減到最少。 折中切斷和傳導損失，確保高效率。
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結果: 3
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
封裝/外殼
安裝風格
配置
集電極-發射極最大電壓VCEO
集電極-發射極飽和電壓
柵極發射機最大電壓
連續集電極電流在25 C
Pd - 功率消耗
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
1,200在途量
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 53 A 200 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
480預期2026/8/13
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 319.2 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
規格書
前置作業時間 36 週
最少： 1
倍數： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 67 A 246 W - 40 C + 175 C Trenchstop Performance Tube