NXH40B120MNQ0SNG

Name: onsemi NXH40B120MNQ0SNG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH40B120MNQ0SNG
Price: 2899.52 TWD
Availability: InStock

Mouser 編號：

863-NXH40B120MNQ0SNG

製造商編號：

NXH40B120MNQ0SNG

製造商：

onsemi

說明：

MOSFET模組 80KW GENII 1200V 80MOHM S

規格書:

NXH40B120MNQ0SNG 規格書

ECAD模型:

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Pricing (TWD)

數量	單價	總價
	NT$2,899.52	NT$2,899.52
	NT$2,322.20	NT$23,222.00
	NT$2,321.86	NT$278,623.20
5,016	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	SiC
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	118 W
系列:	NXH40B120MNQ0
封裝:	Tray
品牌:	onsemi
配置:	Dual
產品類型:	MOSFET Modules
原廠包裝數量:	24
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	EliteSiC

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NXH40B120MNQ0SNG 規格書

PCN

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模組

安森美 (onsemi) NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模組包含一個雙升壓級，由兩個40m ΩΩ/1200V SiC MOSFET和兩個40A/1200V SiC二極管組成。此整合式SiC MOSFET和SiC二極管提供更低的傳導損耗和開關損耗，使設計人員能實現高效率和卓越的可靠性。NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模組包含兩個額外的50A/1200V旁路整流器，用於浪湧電流限制和板載熱敏電阻。此全SiC MOSFET模組具有低反向恢復和快速切換SiC二極管、低電感佈局、焊接引腳和熱敏電阻。NXH40B120MNQ0全SiC MOSFET模組非常適合用於太陽能逆變器和不間斷電源。