GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (TWD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 最大工作頻率 最低工作頻率 技術
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2,460庫存量
帶狀裁切
NT$417.29
NT$233.74
NT$225.50
NT$206.85
捲
NT$183.91
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion GaN
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET 1,359庫存量
帶狀裁切
NT$244.86
NT$130.14
NT$119.02
NT$111.49
NT$91.06
捲
NT$90.70
最少: 1
倍數: 1
: 1,500
SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W GaN
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET 2,490庫存量
帶狀裁切
NT$388.97
NT$216.53
NT$205.78
NT$188.57
捲
NT$174.59
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement GaN
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7" 2,463庫存量
帶狀裁切
NT$305.80
NT$166.34
NT$152.72
NT$149.85
NT$131.21
捲
NT$122.25
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW GaN
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2,458庫存量
帶狀裁切
NT$260.27
NT$139.46
NT$127.63
NT$121.17
NT$111.14
捲
NT$98.59
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion GaN
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 11A, N-Channel GaN FET 2,080庫存量
帶狀裁切
NT$219.04
NT$115.44
NT$105.40
NT$96.08
NT$92.49
捲
NT$78.15
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN
Central Semiconductor 氮化鎵場效應管 650V, 17A, N-Channel GaN FET 2,428庫存量
帶狀裁切
NT$248.44
NT$132.29
NT$121.17
NT$113.64
NT$104.32
捲
NT$92.49
最少: 1
倍數: 1
: 2,500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN